Для силовой электроники нового поколения
Процессоры031 минуту назад
Китайская компания Hangzhou Garen Semiconductor объявила о старте первой в мире линии серийного производства гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов. Данная инициатива считается значительным шагом к массовому внедрению силовой электроники нового поколения.
В дополнение к этому производитель сообщил о начале поставок 6-дюймовых пластин ведущим разработчикам микросхем. По словам Garen, производство уже достигло стабильного серийного уровня, а с рядом клиентов подписаны долгосрочные контракты.
Оксид галлия рассматривается как один из самых многообещающих материалов для силовых полупроводников. Он позволяет создавать компоненты, которые могут функционировать при более высоких напряжениях и температурах по сравнению с кремнием. Такие решения могут найти применение в электромобилях, высоковольтных сетях, системах хранения энергии, солнечной энергетике и телекоммуникационном оборудовании.
На данный момент основным ограничением сектора остается размер пластин: большинство изделий из оксида галлия производятся на подложках 2–4 дюйма, что затрудняет масштабирование производства. Переход на форматы 6 и 8 дюймов должен значительно увеличить выход качественных чипов и уменьшить их себестоимость.
По информации компании, ей удалось разработать собственную технологию выращивания монокристаллов и оптимизировать процесс эпитаксии. Это, как утверждается, позволило повысить производительность, сократить расход иридия и снизить стоимость подложек более чем на 80%. Также утверждается, что 8-дюймовая пластина дает примерно в четыре раза больше микросхем по сравнению с 4-дюймовой.
DexterИсточники:Interesting EngineeringПроцессоры031 минуту назад
Источник