Компания инвестирует в расширение фабрики в Хиросиме при поддержке японского правительства, усиливая конкуренцию на рынке высокоскоростной памяти для ИИ-ускорителей
Искусственный интеллект013:32
Американская Micron Technology сообщила о значительном расширении своего производства высокоскоростной памяти в Японии, вложив приблизительно $9,2 млрд в модернизацию своего комплекса в Хиросиме. Данный проект нацелен на создание памяти нового поколения High Bandwidth Memory (HBM), что является ключевым для функционирования современных систем искусственного интеллекта и графических ускорителей.
HBM (память с высокой пропускной способностью) применяется в ИИ-ускорителях и высокопроизводительных GPU благодаря своей способности передавать значительные объемы данных с минимальными задержками и высокой энергоэффективностью. Этот тип памяти стал одним из основных узких мест и одновременно катализаторов роста всей индустрии искусственного интеллекта, поскольку оказывает прямое влияние на производительность вычислительных кластеров.
Планируется, что запуск расширения в Хиросиме будет осуществлён так, чтобы первые поставки начались во второй половине 2028 года. Часть финансирования проекта будет поддержана государством: Министерство экономики, торговли и промышленности Японии (METI) рассматривает возможность предоставления субсидии в размере около $3,1 млрд, продолжая стратегию укрепления национальной полупроводниковой базы через привлечение международных производителей.
Комплекс в Хиросиме уже является одним из важнейших узлов Micron в производстве DRAM. Ранее компания провела его модернизацию, внедрив EUV-литографию (экстремальная ультрафиолетовая литография, которая позволяет создавать более мелкие и плотные транзисторные структуры), что обеспечило переход от технологического узла 1-beta к более современному 1-gamma. Новое расширение фактически надстраивается над уже существующей технологической платформой и увеличивает стратегическое значение площадки в глобальной производственной сети компании.
Параллельно Micron использует модель распределённого производства, чтобы оперативно наращивать мощности в условиях быстрого роста спроса. Такой подход уменьшает зависимость от одной производственной площадки и позволяет более гибко реагировать на циклические колебания рынка памяти.
Рынок HBM остаётся одним из самых конкурентных сегментов полупроводниковой отрасли. В настоящее время лидирующие позиции занимает SK hynix, поставляющая значительную долю памяти для AI-ускорителей Nvidia. Samsung Electronics также активно увеличивает производство, создавая давление на своих соперников.
Micron постепенно наращивает свою долю на рынке, последовательно расширяя поставки HBM в рамках новых поколений продукции.
Darth SaharaИсточники:TrendForce NewsИскусственный интеллект0Искусственный интеллектNvidiaDRAMSamsung ElectronicsSK HynixПолупроводникиПамять HBMПроизводство микросхемЛитографияMicron TechnologyРынок памятиИИ-ускорители13:32
Источник