Но до массового производства необходимо решить еще несколько вопросов
18 сентября 2026, 09:06ПроцессорыJin1
Китайская академия наук представила новую архитектуру транзисторов с круговым затвором (GAA), которая достигла коэффициента включения/выключения свыше 500 000 раз на установке для DUV-литографии, что теоретически позволяет достичь производительности, сопоставимой с 3 нм.
В отличие от FinFET, GAA обеспечивает более точное управление током и снижение утечек. Однако DUV-оборудование само по себе не может непосредственно формировать элементы уровня 3 нм: для более сложных норм обычно применяются многократная экспозиция и иные методы масштабирования. В новой архитектуре, как сообщается, увеличение расстояния между транзисторами позволяет сохранить необходимые характеристики, создавая тем самым «3-нм эквивалент» без использования EUV.
Тем не менее, речь идет пока лишь о технологической возможности, а не о готовом 3-нм производстве. Новая архитектура устраняет ограничения на уровне FEOL — формирования самих транзисторов, в то время как последующие этапы MEOL и BEOL, включая металлические соединения и разводку слоя M0, остаются отдельной задачей.
Таким образом, разработка демонстрирует потенциальный путь для продвижения DUV-технологий к более современным стандартам, но для полноценного промышленного процесса необходимо решить и ограничения последующих этапов изготовления чипов.
Источники:mydriversПроцессоры109:06
Источник