Для силовой электроники нового поколения
Процессоры031 минуту назад
Китайская компания Hangzhou Garen Semiconductor сообщила о запуске первой в мире линии серийного производства гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия диаметром 6 и 8 дюймов. Данный шаг считается значимым достижением на пути к широкому внедрению силовой электроники нового поколения.
Одновременно производитель сообщил о начале поставок 6-дюймовых пластин ключевым разработчикам микросхем. По словам Garen, производство уже достигло стабильного серийного уровня, и с рядом клиентов заключены долгосрочные соглашения.
Оксид галлия считается одним из наиболее перспективных материалов для силовых полупроводников. Он позволяет создавать компоненты, которые могут функционировать при более высоких напряжениях и температурах по сравнению с кремнием. Такие решения могут применяться в электромобилях, высоковольтных сетях, системах хранения энергии, солнечной энергетике и телекоммуникационном оборудовании.
На данный момент основным ограничением в отрасли остается размер пластин: большинство изделий из оксида галлия производятся на подложках 2–4 дюйма, что затрудняет масштабирование производства. Переход на размеры 6 и 8 дюймов должен значительно увеличить выход качественных чипов и снизить их стоимость.
По данным компании, ей удалось разработать уникальную технологию выращивания монокристаллов и оптимизировать процесс эпитаксии. Это, как утверждается, позволило повысить производительность, уменьшить расход иридия и снизить стоимость подложек более чем на 80%. Также сообщается, что 8-дюймовая пластина обеспечивает примерно в четыре раза больше микросхем по сравнению с 4-дюймовой.
DexterИсточники:Interesting EngineeringПроцессоры031 минуту назад
Источник