CXMT выходит на один уровень с SK hynix, Samsung и Micron
31 августа 2026, 20:47Системные платы, память, чипсетыDexter7
Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) начала предсерийное производство памяти HBM3E — которая особенно актуальна для ускорителей искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных систем. Если технологический процесс будет успешно отработан, переход к более масштабному производству может произойти уже в ближайшие недели.
Предсерийное производство необходимо для проверки стабильности технологического процесса, выхода годных кристаллов, упаковки многослойной памяти и соответствия готовых изделий необходимым характеристикам.
Компания также значительно расширяет свою производственную базу. По сведениям, к концу года общая мощность заводов CXMT по производству DRAM должна достичь около 350 тыс. обрабатываемых кремниевых пластин в месяц. Дальнейшее развитие запланировано и на будущие годы.
Точные характеристики своей HBM3E компания пока не раскрыла. В распространенных версиях данного поколения HBM используется 1024-битный интерфейс на стек, а скорость передачи данных может достигать примерно 9,6 Гбит/с на контакт и выше. При 9,6 Гбит/с теоретическая пропускная способность одного стека составляет 1,2 ТБ/с.
Объем памяти зависит от используемых кристаллов DRAM и количества слоев. Например, при использовании 24-гигабитных кристаллов восьмислойный стек может обеспечить 24 ГБ памяти.
Источники:ITHomeСистемные платы, память, чипсеты7CXMT42 минуты назад
Источник