Для новой DRAM не понадобятся литографы EUV
Системные платы, память, чипсеты04 минуты назад
Китайская компания CXMT (ChangXin Memory Technologies) начала разработку нового поколения DRAM с применением технологии гибридного соединения пластин (Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding). Ожидается, что это позволит значительно увеличить плотность памяти и улучшить её производительность без использования современного EUV-оборудования.
Данная технология исключает использование традиционных микроконтактов. Вместо этого две кремниевые пластины соединяются напрямую, что уменьшает длину электрических соединений, снижает потребление энергии и задержки, а также позволяет разместить больше памяти на одной и той же площади кристалла.
Сообщается, что CXMT уже тестирует технологию на пилотной линии в Хэфэе. В то же время компания разделяет производство массива ячеек памяти и управляющей логики на разные пластины, что дает возможность использовать различные техпроцессы для каждого из компонентов и повысить производственную эффективность.
Ранее сообщалось, что Apple рассматривает CXMT как потенциального поставщика DRAM. Однако главной причиной этого является не снижение стоимости памяти, а стремление диверсифицировать цепочку поставок на фоне растущего дефицита DRAM, вызванного высоким спросом со стороны дата-центров для искусственного интеллекта.
DexterИсточники:WCCFСистемные платы, память, чипсеты04 минуты назад
Источник