Технология Naura Technology может ускорить создание 3D DRAM в Китае
4 сентября 2026, 21:28Системные платы, память, чипсетыDexter0
Китайская компания, занимающаяся производством полупроводников, Naura Technology Group, объявила о разработке двухступенчатого процесса травления, который может применяться при производстве 3D DRAM. По информации компании, данная технология обеспечивает равномерную обработку структур, содержащих как минимум 64 пары слоев, и потенциально увеличивает плотность памяти за счет вертикального масштабирования.
3D DRAM рассматривается как одна из многообещающих областей развития оперативной памяти. Подобно 3D NAND, производители постепенно переходят от доминирующего уменьшения элементов в горизонтальной плоскости к созданию многослойных вертикальных структур. Для китайской полупроводниковой отрасли данный подход особенно актуален из-за ограниченного доступа к передовым EUV-литографическим технологиям.
Процесс Naura предназначен для многослойных структур, состоящих из чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe). При производстве 3D DRAM необходимо выборочно удалить определенные слои SiGe, создавая пространство для будущих элементов памяти. Одной из ключевых задач является равномерное травление глубокой структуры, без повреждения находящихся между слоями участков кремния.
Naura предлагает разделить процесс на два этапа. Сначала нейтральные фторсодержащие радикалы в основном воздействуют на SiGe, практически не затрагивая кремний. Затем выполняется плазменная очистка, которая устраняет побочные продукты реакции. Без этой стадии они могут накапливаться внутри структуры и мешать равномерному травлению нижних слоев.
Согласно данным Naura, селективность травления SiGe по отношению к кремнию составляет более 500:1 — это означает, что кремний-германий удаляется более чем в 500 раз быстрее, чем кремний. Для структуры из 64 пар слоев сообщается о равномерности обработки более 95%.
Эта разработка потенциально интересна для китайских производителей памяти, таких как CXMT, которые стремятся сократить отставание от Samsung, SK hynix и Micron. Вертикальное масштабирование в будущем может позволить увеличить плотность DRAM без сильной зависимости от дальнейшего уменьшения размеров элементов с помощью передовой литографии.
Источники:WCCFСистемные платы, память, чипсеты033 минуты назад
Источник