Новая архитектура должна преобразовать HBM из высокоскоростной памяти, расположенной рядом с ускорителем, в часть самого вычислительного чипа
2 сентября 2026, 22:38Системные платы, память, чипсетыDarth Sahara0
На конференции Hot Chips 2026 Samsung представила трехэтапный план развития HBM, который завершается архитектурой zHBM. В современных системах стек HBM находится рядом с GPU или ускорителем и соединяется с ним через промежуточную плату.
С HBM4 Samsung применяет 4-нм техпроцесс для базового кристалла, что не только уменьшает размеры и потребление энергии, но и создает полноценный логический слой непосредственно под стеком памяти.
Будущие поколения должны активнее использовать этот слой: часть операций, которые в настоящее время выполняются процессором, будет перенесена в логику HBM. Это обеспечит обработку данных ближе к месту их хранения и сократит перемещение между памятью и вычислительными блоками. В конечной версии zHBM компания предлагает отказаться от горизонтальной компоновки: стек DRAM будет располагаться непосредственно над вычислительным кристаллом, образуя единую трехмерную структуру.
Такой подход может решить одну из ключевых проблем современных ИИ-ускорителей — снизить затраты на передачу данных. Уже HBM4 обеспечивает приблизительно 1–5 ТБ/с пропускной способности в зависимости от реализации, а дальнейшее увеличение соединений и частот становится все более сложным и энергозатратным. Однако перенос DRAM непосредственно на процессор создает другую проблему: память окажется над крайне горячим кристаллом, который может выделять сотни ватт.
На данный момент zHBM остается концепцией без обозначенных сроков для коммерческого запуска. Samsung фактически демонстрирует направление, в котором должно развиваться HBM: память постепенно должна перестать быть пассивным хранилищем данных и получить собственную вычислительную логику, а в будущем — стать физической частью процессора. В первую очередь технология ориентирована на ИИ и HPC-ускорители.
Источники:Tom's HardwareСистемные платы, память, чипсеты0SamsungSamsungGPUDRAMВысокопроизводительные вычисленияHBM-памятьzHBM51 минуту назад
Источник