Компания планирует сделать завод в Индиане основной американской базой для производства передовой памяти для ИИ
28 августа 2026, 10:34Системные платы, память, чипсетыJin0
Южнокорейская SK Hynix начала возведение значительного завода в американском штате Индиана, где она собирается наладить производство и упаковку высококачественной памяти HBM. Объем инвестиций в проект превысит $4 млрд, а массовый запуск следующего поколения HBM4E ожидается в третьем квартале 2029 года.
Завод будет находиться в исследовательском парке Purdue Research Park в Уэст-Лафайете. Чистые помещения должны начать функционировать во второй половине 2028 года. В будущем производственные мощности завода позволят выпускать сотни тысяч кремниевых пластин ежегодно.
Производственный процесс будет распределен между США и Южной Кореей. Передовые чипы памяти будут производиться в Корее, после чего отправляться в Индиану для упаковки и тестирования. Готовые микросхемы в первую очередь будут поставляться американским клиентам, включая Nvidia, Microsoft и Google.
Генеральный директор SK Hynix Квак Но-джонг отметил, что компания не замечает признаков скорого снижения спроса на память и предполагает, что дефицит продлится до конца 2030 года. По его мнению, даже возможное замедление на рынке будет связано скорее с умеренным падением темпов роста, нежели с резким сокращением потребности.
HBM представляет собой многослойную память, в которой несколько кристаллов располагаются друг над другом. Благодаря высокой пропускной способности и снижению энергопотребления такая память стала одним из основных компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Увеличение инвестиций в ИИ сделало HBM одним из ключевых факторов роста для производителей памяти.
Источники:reutersСистемные платы, память, чипсеты034 минуты назад
Источник