Ранее компании уже осуществляли подобные действия
Системные платы, память, чипсеты08 минут назад
Нынешний дефицит памяти может быть, как минимум, частично вызван сговором между производителями этой самой памяти. Таковы утверждения, содержащиеся в коллективном иске, который был подан в Калифорнии 25 июня.
В иске указано, что в сговоре подозреваются Samsung, Hynix и Micron, которые совместно контролируют примерно 85-90% всего рынка памяти DRAM и NAND.
В иске говорится, что эта тройка использовала свое доминирующее положение на мировом рынке для осуществления скоординированного перехода к памяти HBM, которая крайне важна для ИИ-ускорителей. Утверждается, что компании использовали соответствующую перестройку своих бизнесов как оправдание для сокращения производства памяти DDR.
Стоит отметить, что в прошлом уже имели место подобные случаи. В частности, Samsung и Hynix ранее признавали свою вину по уголовным обвинениям в ценовом сговоре в 2000-х годах, что привело к штрафам для нескольких руководителей в размере 731 млн долларов и к тюремному заключению, в то время как Micron избежала наказания, заключив сделку со следствием.
MPAKИсточники:Law360WCCF TechСистемные платы, память, чипсеты0SamsungHynixMicron8 минут назад
Источник